VT10200C-E3/ VFT10200C-E3/ VBT10200C-E3/ VIT10200C-E3数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

VT10200C-E3/ VFT10200C-E3/ VBT10200C-E3/ VIT10200C-E3

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:25:00

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VT10200C-E3/ VFT10200C-E3/ VBT10200C-E3/ VIT10200C-E3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

VT10200C-E3/ VFT10200C-E3/ VBT10200C-E3/ VIT10200C-E3规格书详情

描述 Description

分立

特性 Features

·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
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