Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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肖特基二极管与整流器 10A 45V DUAL TrenchMOS

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Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 45V 5A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 45V 5A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division