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VT10200C-M3中文资料Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VT10200C-M3 |
| 参数属性 | VT10200C-M3 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY SCHOT 200V TO220AB |
| 功能描述 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-2 17:02:00 |
| 人工找货 | VT10200C-M3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VT10200C-M3规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VT10200C-M3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管配置：
1 对共阴极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
DIODE ARRAY SCHOT 200V TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VOLTERRA |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VOLTERRA |
25+ |
QFN |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
VOLTERRA |
24+ |
QFN |
49 |
询价 | |||
VOLTERRA |
23+ |
DIP-40 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
16+ |
QFN |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
询价 | |||
VOLTERRA |
1645+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO220AB |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO220AB |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
MAXIM/美信 |
2447 |
RoHs |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
VOLTERRA |
2003 |
QFN |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
