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VSP600N70HS4

MOSFET

N沟道增强型高压功率MOSFET采用超级结工艺技术制造,先进的工艺及元胞结构使该产品具有较低导通电阻、Qg以及优越的开关性能,实现更低的导通损耗和开关损耗。该产品可广泛应用于各类开关电源。 1.极低的Qg\n2.100%雪崩测试\n3.超级结技术\n4.无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤素;

Vergiga

威兆半导体

VSR5A

VIT

VIT

VSSA310S-M3/61T

VISHAY/威世
DO-214AC

VISHAY/威世

VSSAF3M10HM3/H

vishay
DO-221AC-2

VishayVishay Siliconix

威世

上传:海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

VST10/9EE-202S2P4

TDK
SMD

技术参数

  • BVDSS[V]:

    700.00

  • bVGS[V]:

    30.00

  • vth_min:

    3.00

  • vth_max:

    4.60

  • ID[A]:

    8.00

  • PD[W]:

    52.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    550.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    590.00

  • Coss:

    280.00

  • Crss:

    10.00

  • Qg(10V)[nC]:

    13.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    TDFN5x6 HV

  • Technology:

    SJ MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VANGUARD/威兆
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TDFN5x6HV
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更多VSP600N70HS4供应商 更新时间2025-10-12 12:00:00