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FDD2582	文件：299.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=66mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2582	文件：685.83 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=150V,ID=20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD2582	文件：466.73 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelPowerTrench®MOSFET150V,21A,66mΩ Features •rDS(ON)=58mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=7A •Qg(tot)=19nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitecture	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS2582	文件：283.44 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,4.1A,66m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2582-NL	文件：990.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LMX2582	文件：1.7862 Mbytes Page：40 Pages	HighPerformance,WidebandPLLatinumRFSynthesizer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMX2582RHAR	文件：1.7862 Mbytes Page：40 Pages	HighPerformance,WidebandPLLatinumRFSynthesizer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMX2582RHAT	文件：1.7862 Mbytes Page：40 Pages	HighPerformance,WidebandPLLatinumRFSynthesizer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MIC2582	文件：2.138 Mbytes Page：32 Pages	Single-ChannelHotSwapControllers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MIC2582	文件：1.47484 Mbytes Page：27 Pages	Single-ChannelHotSwapControllers	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel

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产品属性

产品编号：
VSP2582RHNR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 模拟前端（AFE）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
位数：
12
电压 - 供电，模拟：
2.7V ~ 3.6V
电压 - 供电，数字：
2.7V ~ 3.6V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-VFQFN
供应商器件封装：
36-VQFN（6.2x6.2）
描述：
IC AFE 1 CHAN 12BIT 36VQFN

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更多VSP2582RHNR供应商更新时间2025-7-24 15:40:00

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