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VSP012N08MS中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VSP012N08MS规格书详情
描述 Description
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如电池保护和马达驱动等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：VSP012N08MS
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：80.00
- BVGS[V]
：20.00
- Vth[V]_min
：1.40
- Vth[V]_max
：2.50
- ID[A]
：52.00
- RDS (on) Typ[Ω]@10V
：12.00
- RDS (on) Typ[Ω]@4.5V
：13.00
- RDS (on) Typ[Ω]@2.5V
：-
- RDS (on) Typ[Ω]@1.8V
：-
- Ciss
：5375.00
- Coss
：195.00
- Crss
：165.00
- Package
：PDFN5X6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
BGA |
18000 |
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询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
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BGA |
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VSEMI |
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QFP |
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NK/南科功率 |
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DFN5060-8 |
986966 |
国产 |
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