N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

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VBSEMI

微碧半导体

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如快充等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;

Vergiga

威兆半导体

VIT

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VISHAY/威世
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威世科技

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