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BSC012N06NS	文件：906.71 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM5Power-Transistor,60V Features •Optimizedforsynchronousrectification •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •175°Crated •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPT012N06N	文件：1.02236 Mbytes Page：11 Pages	OptiMOSTMPower-Transistor,60V	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
NVMJD012N06CL	文件：258.75 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel60V,11.9m,42A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMJD012N06CLTWG	文件：258.75 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,DualN-Channel60V,11.9m,42A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PRM012N06CT	文件：871.91 Kbytes Page：8 Pages	60VSingleN-ChannelMOSFET	PFCPFC Device Inc. PFC	PFC
PRM012N06D	文件：853.76 Kbytes Page：8 Pages	60VSingleN-ChannelMOSFET	PFCPFC Device Inc. PFC	PFC
PRM012N06E	文件：849.91 Kbytes Page：8 Pages	60VSingleN-ChannelMOSFET	PFCPFC Device Inc. PFC	PFC
VSD012N06MS	文件：2.23498 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VST012N06MS	文件：1.55457 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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深圳市广弘电子有限公司	VSO012N06MS-A	VANGUARD/威兆	2021+	SOP8	1000	13632880263	询价
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更多VSO012N06MS-A供应商更新时间2024-5-27 14:02:00

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