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VSO010N06MS

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如快充等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;

Vergiga

威兆半导体

IPB010N06N

OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

文件:1.09827 Mbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

IPB010N06N

New OptiMOS??40V and 60V

文件:1.02174 Mbytes 页数:2 Pages

Infineon

英飞凌

IPB010N06N

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 180A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching

文件:328.6 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • BVDSS[V]:

    60.00

  • bVGS[V]:

    20.00

  • vth_min:

    1.00

  • vth_max:

    2.50

  • ID[A]:

    14.00

  • PD[W]:

    3.10

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    9.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    11.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    3970.00

  • Coss:

    170.00

  • Crss:

    135.00

  • Qg(10V)[nC]:

    62.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    SOP8

  • Technology:

    Trench MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VANGUARD/威兆
20+
SOP8
120000
原装正品 可含税交易
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HAMOS/汉姆
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SOP-8
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全新原装正品现货,支持订货
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VANGUARD
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NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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HAMOS/汉姆
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60000
全新原装现货
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NK/南科功率
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更多VSO010N06MS供应商 更新时间2025-12-1 10:02:00