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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
VSO003N06MS-G | MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于该产品可广泛应用于快充、马达驱动和开关电源等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀；符合 RoHS 标准; | Vergiga 威兆半导体 | Vergiga | |
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：973.99 Kbytes 页数：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | ||
4V Drive Nch MOS FET 文件：65.209 Kbytes 页数：3 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
4V Drive Nch MOS FET 文件：61.3 Kbytes 页数：3 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | ||
4V Drive Nch MOS FET 文件：1.07159 Mbytes 页数：5 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM |
技术参数
- BVDSS[V]：
60.00
- bVGS[V]：
20.00
- vth_min：
1.30
- vth_max：
2.50
- ID[A]：
25.00
- PD[W]：
3.10
- RDS (on) Typ[mR]@10V：
2.80
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
4.30
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
- Ciss：
3495.00
- Coss：
1570.00
- Crss：
35.00
- Qg(10V)[nC]：
49.00
- Qg(4.5V)[nC]：
23.00
- Package：
SOP8
- Technology：
SGT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VANGUARD/威兆 |
2511 |
SOP8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VANGUARD |
2022+ |
SOP-8 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VANGUARD/威兆 |
24+ |
SOP8 |
100000 |
原装现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
25+ |
SOP8 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
SOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
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更新时间2025-10-5 10:00:00
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- VSO012N06MSC-G
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- VSO013N10MS
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- VSO050P06MS
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