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VSMG2720-GS08	文件：138.83 Kbytes Page：6 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION VSMG2720 is an infrared, 830 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). A 19 chip provides outstanding low forward voltage and radiant intensity even at 1 A pulse current. FE 文件：138.83 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMG2720-GS08	文件：133.06 Kbytes Page：6 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode 文件：133.06 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMG2720-GS08	文件：144.54 Kbytes Page：6 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：144.54 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VSMG2720-GS08	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-PLCC；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 830NM 100MA 2-PLCC	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division

产品属性

产品编号：
VSMG2720-GS08
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
8mW/sr @ 100mA
波长：
830nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.45V
视角：
120°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-PLCC
描述：
EMITTER IR 830NM 100MA 2-PLCC

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