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VSD600N70HS中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书

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厂商型号

VSD600N70HS

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:02:00

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VSD600N70HS规格书详情

描述 Description

N沟道增强型高压功率MOSFET采用超级结工艺技术制造,先进的工艺及元胞结构使该产品具有较低导通电阻、Qg以及优越的开关性能,实现更低的导通损耗和开关损耗。该产品可广泛应用于各类开关电源。

特性 Features

1.极低的Qg
2.快恢复
3.100%雪崩测试
4.超级结技术
5.无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤素

技术参数

  • 制造商编号

    :VSD600N70HS

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :700.00

  • bVGS[V]

    :30.00

  • vth_min

    :3.00

  • vth_max

    :4.60

  • ID[A]

    :8.00

  • PD[W]

    :57.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :520.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :580.00

  • Coss

    :275.00

  • Crss

    :12.00

  • Qg(10V)[nC]

    :13.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.00

  • Package

    :TO-252

  • Technology

    :SJ MOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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