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VSA030C03LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关和马达驱动等。 1.N+P增强型MOSFET\n2.较低的导通损耗和开关损耗\n3.雪崩能力强;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
VSC7389XHO	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA596	VITESSE 上传：深圳市胜彬电子有限公司	VITESSE
VSC7390XHO	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA596	VITESSE 上传：深圳市胜彬电子有限公司	VITESSE
VSC7398XYU	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA	VITESSE 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	VITESSE
VSC7407XHO	文件：0 bytes Page：0 Pages	VITESSE BGA	VITESSE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	VITESSE

技术参数

BVDSS[V]：
30.00
bVGS[V]：
12.00
vth_min：
0.50
vth_max：
1.20
ID[A]：
6.00
PD[W]：
2.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
31.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
33.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
40.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
665.00
Coss：
55.00
Crss：
45.00
Qg(10V)[nC]：
8.20
Qg(4.5V)[nC]：
0.00
Package：
DFN2x3-8L
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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