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VS3640BC

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

文件:491.92 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VS3640BC

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如负载开关等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n4.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

Vergiga

威兆半导体

VS3640DS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.43681 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

XLN3640

Programmable DC Power Supplies

文件:4.76779 Mbytes 页数:5 Pages

BK

B&K Precision Corporation

XLN3640

Compact, high density, 1U package

文件:4.72469 Mbytes 页数:5 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

技术参数

  • BVDSS[V]:

    30.00

  • bVGS[V]:

    12.00

  • vth_min:

    0.60

  • vth_max:

    1.20

  • ID[A]:

    5.00

  • PD[W]:

    1.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    29.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    36.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    770.00

  • Coss:

    50.00

  • Crss:

    45.00

  • Qg(10V)[nC]:

    8.50

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    SOT23

  • Technology:

    Trench MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VANGUARD威兆
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