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VS3610AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如PC/NB主板、负载开关和无线充等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
WD3610DA	文件：1.20399 Mbytes Page：13 Pages	1000mA Buck/Boost Charge Pump Flash LED Driver 文件：1.20399 Mbytes 页数：13 Pages	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WISE-3610	文件：549.03 Kbytes Page：2 Pages	Wireless IoT LoRa Network Gateway 文件：549.03 Kbytes 页数：2 Pages	ADVANTECH 研华科技	ADVANTECH
WISE-3610Z	文件：492.19 Kbytes Page：2 Pages	Wireless IoT EPD Network Gateway 文件：492.19 Kbytes 页数：2 Pages	ADVANTECH 研华科技	ADVANTECH

技术参数

BVDSS[V]：
30.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.00
vth_max：
2.50
ID[A]：
64.00
PD[W]：
33.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
4.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
5.70
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
1930.00
Coss：
310.00
Crss：
260.00
Qg(10V)[nC]：
38.00
Qg(4.5V)[nC]：
22.40
Package：
PDFN3333
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中远芯科技有限公司	VS3610AE	VS	23+	PDFN3333	236	原装热卖现货	询价
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更多VS3610AE供应商更新时间2026-1-18 14:26:00

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