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VS3606AP

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如PC/NB主板、负载开关和无线充等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;

Vergiga

威兆半导体

XF3606-HO

TORODIAL INDUCTOR

文件:54.83 Kbytes 页数:1 Pages

XFMRS

3606

Digitally Controlled Programmable Gain INSTRUMENTATION AMPLIFIER

文件:440.66 Kbytes 页数:9 Pages

BURR-BROWN

3606

Die Cast Aluminum Box Painted, Size ?쏡?

文件:48.73 Kbytes 页数:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

3606

TUBEAXIAL

文件:423.43 Kbytes 页数:1 Pages

EBMPAPST

依必安派特

技术参数

  • BVDSS[V]:

    30.00

  • bVGS[V]:

    20.00

  • vth_min:

    1.30

  • vth_max:

    2.50

  • ID[A]:

    106.00

  • PD[W]:

    45.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    2.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    2.90

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    3650.00

  • Coss:

    550.00

  • Crss:

    520.00

  • Qg(10V)[nC]:

    63.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    37.60

  • Package:

    PDFN5x6

  • Technology:

    Trench MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
国产
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VANGUARD/威兆
2511
PDFN5x6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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Vergiga Semiconductor
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更多VS3606AP供应商 更新时间2026-4-24 14:01:00