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VS3522AA2-K中文资料MOSFET数据手册Vergiga规格书
VS3522AA2-K规格书详情
描述 Description
P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如无线车充和马达驱动等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
4.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VS3522AA2-K
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：-30.00
- bVGS[V]
：20.00
- vth_min
：-1.30
- vth_max
：-2.40
- ID[A]
：-9.00
- PD[W]
：2.50
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：18.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：30.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：0.00
- Ciss
：850.00
- Coss
：140.00
- Crss
：100.00
- Qg(10V)[nC]
：18.20
- Qg(4.5V)[nC]
：12.50
- Package
：DFN2x2x0.45-6L
- Technology
：Trench MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD |
24+ |
NA/ |
33250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
VANGUARD |
20+ |
SOT-23 |
15000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
PDFN3333 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Vergiga Semiconductor |
23+ |
3000 |
原装正品现货,德为本,正为先,通天下! |
询价 | |||
VANGUARD |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
SEMICONDUCTOR |
24+ |
PDFN3333 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-247AD(TO-3P) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
DFN2x2x0.45-6L |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VANGUARD |
24+ |
PDFN3333 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
VANGUARD威兆 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
