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VS3506AT数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VS3506AT

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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VS3506AT规格书详情

描述 Description

P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如马达驱动和负载开关、电池保护等。

特性 Features

1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
4.无铅电镀;符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :VS3506AT

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :-30.00

  • bVGS[V]

    :20.00

  • vth_min

    :-1.20

  • vth_max

    :-2.30

  • ID[A]

    :-100.00

  • PD[W]

    :94.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :6.20

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :10.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :0.00

  • Ciss

    :4430.00

  • Coss

    :525.00

  • Crss

    :430.00

  • Qg(10V)[nC]

    :73.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :41.00

  • Package

    :TO-220AB

  • Technology

    :Trench MOS

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