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VS3510AP	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如马达驱动和负载开关等。\n\n 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n4.无铅电镀；符合 RoHS 标准\n;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
VS3510AS	文件：1.71678 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.71678 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
W3510	文件：158.4 Kbytes Page：5 Pages	ANTENNAS 文件：158.4 Kbytes 页数：5 Pages	PULSE	PULSE
ZQ3510	文件：518.96 Kbytes Page：2 Pages	Rating at 25??Ambient temp. Unless otherwise specified. Single phase, half sine wave, 60HZ,resistive or inductive load. 文件：518.96 Kbytes 页数：2 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS

技术参数

BVDSS[V]：
-30.00
bVGS[V]：
25.00
vth_min：
-1.30
vth_max：
-2.40
ID[A]：
-45.00
PD[W]：
37.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
10.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
17.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
1870.00
Coss：
300.00
Crss：
200.00
Qg(10V)[nC]：
39.00
Qg(4.5V)[nC]：
0.00
Package：
PDFN5X6
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	VS3510AP	VANGUARD	2022+	DFN56	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	VS3510AP		26+	N/A	54000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多VS3510AP供应商更新时间2026-10-21 14:01:00

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