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VS3510AE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如马达驱动和负载开关等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
VS3510AS	文件：1.71678 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.71678 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
W3510	文件：158.4 Kbytes Page：5 Pages	ANTENNAS 文件：158.4 Kbytes 页数：5 Pages	PULSE	PULSE
ZQ3510	文件：518.96 Kbytes Page：2 Pages	Rating at 25??Ambient temp. Unless otherwise specified. Single phase, half sine wave, 60HZ,resistive or inductive load. 文件：518.96 Kbytes 页数：2 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS

技术参数

BVDSS[V]：
-30.00
bVGS[V]：
25.00
vth_min：
-1.30
vth_max：
-2.40
ID[A]：
-37.00
PD[W]：
33.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
10.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
18.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
2565.00
Coss：
300.00
Crss：
220.00
Qg(10V)[nC]：
44.00
Qg(4.5V)[nC]：
0.00
Package：
PDFN3333
Technology：
Trench MOS

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更多VS3510AE供应商更新时间2026-10-21 14:25:00

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