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EL2008CT	文件：268.21 Kbytes Page：8 Pages	55MHz1AmpBufferAmplifier 55MHz1AmpBufferAmplifier TheEL2008isapatentedhighspeedbipolarmonolithicbufferamplifierdesignedtoprovidecurrentsover1ampathighfrequencies,whiledrawingonly13mAofquiescentsupplycurrent.TheEL2008’s1500V/µsslewrateand55MHzbandwidthdrivinga10Ωloadisseco	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
EU-2008	文件：249.52 Kbytes Page：2 Pages	EtherCATSlaveSystem	AdlinkAdvance Technologies AdlinkAdvance Technologies	Adlink
EUA2008	文件：178.86 Kbytes Page：1 Pages	3-WStereoClass-DAudioAmplifierwith32-StepDCVolumeControl	EUTECHEutech Microelectronics Inc 德信科技德信科技股份有限公司	EUTECH
F2008ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •20WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,500VDCIsolation •Single&DualOutputs •Efficiencyto86 •Compact1.6x2In.Case •-40°Cto+71°COperation •IndustryStandardPin-Out •LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
F2008ERW	文件：217.73 Kbytes Page：2 Pages	F2000ERWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
FR2008CT	文件：702.18 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS Feaures Glasspassivatedchipjunctions Lowreversecurrentoperation LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective HighJunctionTemperature HighForwardSurgeCapability Fastrecoverytimeforswitchin	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
FTD2008	文件：29.44 Kbytes Page：4 Pages	DC/DCConverterApplications Features •LowON-resistance. •4Vdrive. •Mountingheight1.1mm. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
G2008	文件：51.58 Kbytes Page：1 Pages	42CHserialinputmotordriverICforDSC	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技	GMT
GBJ2008	文件：362.23 Kbytes Page：3 Pages	20AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
GBJ2008	文件：40.13 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-20Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct ●Thepla	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
GBJ2008	文件：422.88 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
GBJ2008	文件：212.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE20.0AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
GBJ2008	文件：238.05 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIERGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE50to1000VoltsFORWARDCURRENT20Ampere FEATURES ◆Ratingto1000VPRV. ◆Idealforprintedcircuitboard. ◆Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability. ◆Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct. ◆Thepla	SUNTANSUNTAN 舜天科技有限公司	SUNTAN
GBJ2008	文件：641.25 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
GBJ2008	文件：743.37 Kbytes Page：3 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse REVERSEVOLTAGE:50to1000VOLTS FORWARDCURRENT:20.0AMPERE FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Reliablelowcostconstructionutilizingmolded plastictechnique •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecurrentc	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
GBJ2008	文件：329.69 Kbytes Page：2 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER FEATURES •GlassPassivatedDieConstruction •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS •LowReverseLeakageCurrent •SurgeOverloadRatingto240APeak •IdealforPrintedCircuitBoardApplications •PlasticMaterial-ULFlammability Classification94V-0 •ULListedUnderRecogniz	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
GBJ2008	文件：53.92 Kbytes Page：2 Pages	20AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER Features GlassPassivatedDieConstruction HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS LowReverseLeakageCurrent SurgeOverloadRatingto240APeak IdealforPrintedCircuitBoardApplications PlasticMaterial-ULFlammabilityClassification94V-0 ULListedUnderRecognized	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
GBJ2008	文件：60.21 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifiers FEATURES Ratingto1000VPRV Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
GBJ2008	文件：948.79 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V20.0AmpGlassPassivitedBridgeRectifiers FEATURES •Ratingto1000VPRV •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastic techniqueresultsininexpensiveproduct •TheplasticmaterialhasUnderwritersLaboratory flammabilityclass	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
GBJ2008	文件：88.84 Kbytes Page：2 Pages	20AmpGlassPassivatedBridgeRectifier50to1000Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Ratingto1000VPRV •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop,highcurrentca	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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更多VS2008ATS供应商更新时间2024-5-22 18:24:00

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