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VS-GT300FD060N数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

VS-GT300FD060N

参数属性

VS-GT300FD060N 封装/外壳为双 INT-A-PAK(4 + 8);包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK

功能描述

DIAP Low Profile 3-Levels Half Bridge Inverter Stage, 300 A

封装外壳

双 INT-A-PAK(4 + 8)

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-15 16:26:00

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VS-GT300FD060N规格书详情

特性 Features

·Trench plus Field Stop IGBT technology
·FRED Pt® antiparallel and clamping diodes
·Short circuit capability

技术参数

  • 产品编号:

    VS-GT300FD060N

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三级反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,300A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    双 INT-A-PAK(4 + 8)

  • 供应商器件封装:

    双 INT-A-PAK

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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