VS-GT100TP60N_V02中文资料威世数据手册PDF规格书

厂商型号	VS-GT100TP60N_V02
功能描述	Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A
文件大小	188.33 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世威世科技公司
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更新时间	2025-12-11 19:09:00
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FEATURES

• Low VCE(on) trench IGBT technology

• 5 μs short circuit capability

• VCE(on) with positive temperature coefficient

• Maximum junction temperature 175 °C

• Low inductance case

• Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

• Isolated copper baseplate using DCB (direct copper

bonding) technology

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

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