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VS-GT100DA120UF中文资料PDF规格书

VS-GT100DA120UF
厂商型号

VS-GT100DA120UF

参数属性

VS-GT100DA120UF 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 100 A

文件大小

191.07 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 22:49:00

VS-GT100DA120UF规格书详情

FEATURES

• Trench IGBT high speed

• Square RBSOA

• HEXFRED® low Qrr, low switching energy

• Positive VCE(on) temperature coefficient

• Fully isolated package

• Very low internal inductance ( 5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

产品属性

  • 产品编号:

    VS-GT100DA120UF

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    HEXFRED®

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.55V @ 15V,100A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay General Semiconductor -
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