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VS-GB200TS60NPbF数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
VS-GB200TS60NPbF |
| 参数属性 | VS-GB200TS60NPbF 封装/外壳为INT-A-PAK（3 + 4）；包装为盒；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 600V 209A INT-A-PAK |
| 功能描述 | INT-A-PAK \Half Bridge\ (Ultrafast Speed IGBT), 209 A |
| 封装外壳 | INT-A-PAK（3 + 4） |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 13:01:00 |
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VS-GB200TS60NPbF规格书详情
特性 Features
·Generation 5 Non Punch Through (NPT) technology
·Ultrafast: optimized for hard switching speed
·Low VCE(on)
技术参数
- 产品编号：
VS-GB200TS60NPBF
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
盒
- IGBT 类型：
NPT
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.84V @ 15V，200A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
INT-A-PAK（3 + 4）
- 供应商器件封装：
INT-A-PAK
- 描述：
IGBT MOD 600V 209A INT-A-PAK
