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VS-GB200TH120N数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
VS-GB200TH120N |
| 参数属性 | VS-GB200TH120N 封装/外壳为双 INT-A-PAK（3 + 4）；包装为盒；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK |
| 功能描述 | Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 200 A |
| 封装外壳 | 双 INT-A-PAK（3 + 4） |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 13:01:00 |
| 人工找货 | VS-GB200TH120N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VS-GB200TH120N规格书详情
特性 Features
·Low VCE(on) SPT+ IGBT technology
·10 µs short circuit capability
·VCE(on) with positive temperature coefficient
技术参数
- 产品编号：
VS-GB200TH120N
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装：
盒
- 配置：
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，200A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
无
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
双 INT-A-PAK（3 + 4）
- 供应商器件封装：
双 INT-A-PAK
- 描述：
IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
