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VS-GA250SA60S	文件：288.76 Kbytes Page：9 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-GA250SA60S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SOT-227-4 类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-GP250SA60S	文件：272.53 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorTrenchPTIGBT,600V,250A	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-GP250SA60S	文件：158.73 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorTrenchPTIGBT,600V,250A FEATURES •StandardspeedTrenchPTIGBT •Fullyisolatedpackage •Verylowinternalinductance(5nHtypical) •Industrystandardoutline •ULapprovedfileE78996 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 BENEFITS •Optimizedforh	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-GT250SA60S	文件：196.96 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorUltralowVCE(on),250A FEATURES •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowspeed •Lowestconductionlossesavailable •Fullyisolatedpackage(2500VAC) •Verylowinternalinductance(5nHtypical) •Industrystandardoutline •Designedandqualifiedforindustriallevel •ULapprovedfileE7	VishayVishay Siliconix 威世科技
VS-GT250SA60S	文件：196.26 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorUltralowVCE(on),250A FEATURES •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowspeed •Lowestconductionlossesavailable •Fullyisolatedpackage(2500VAC) •Verylowinternalinductance(5nHtypical) •Industrystandardoutline •Designedandqualifiedforindustriallevel •ULapprovedfileE7	VishayVishay Siliconix 威世科技

产品属性

产品编号：
VS-GA250SA60S
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
散装
配置：
单路
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.66V @ 15V，200A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4
供应商器件封装：
SOT-227
描述：
IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227

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