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VS-GA200TH60S	文件：165.93 Kbytes Page：7 Pages	High short circuit capability VCES600V ICatTC=80°C200A VCE(on)(typical)atIC=200A,25°C1.9V SpeedDCto1kHz PackageDoubleINT-A-PAK CircuitHalfbridge FEATURES •Highshortcircuitcapability •10μsshortcircuitcapability •VCE(on)withpositivetemperaturecoefficient •Maximumjunctiontempe	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-GA200TH60S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒封装/外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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功能描述

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VS-GA200TH60S

文件：165.93 Kbytes

Page：7 Pages

High short circuit capability

VCES600V ICatTC=80°C200A VCE(on)(typical)atIC=200A,25°C1.9V SpeedDCto1kHz PackageDoubleINT-A-PAK CircuitHalfbridge FEATURES •Highshortcircuitcapability •10μsshortcircuitcapability •VCE(on)withpositivetemperaturecoefficient •Maximumjunctiontempe

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

VS-GA200TH60S

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：盒封装/外壳：双 INT-A-PAK（3 + 4）类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
VS-GA200TH60S
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
盒
配置：
半桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，200A（标准）
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双 INT-A-PAK（3 + 4）
供应商器件封装：
双 INT-A-PAK
描述：
IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK

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更多VS-GA200TH60S供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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