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VS-ETF150Y65N中文资料EMIPAK-2B PressFit Power Module 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 150 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VS-ETF150Y65N |
| 参数属性 | VS-ETF150Y65N 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 650V 201A 600W |
| 功能描述 | EMIPAK-2B PressFit Power Module 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 150 A |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 12:37:00 |
| 人工找货 | VS-ETF150Y65N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VS-ETF150Y65N规格书详情
特性 Features
·Trench IGBT technology
·FRED Pt® clamping diodes
·PressFit pins technology
技术参数
- 产品编号：
VS-ETF150Y65N
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
FRED Pt®
- 包装：
托盘
- IGBT 类型：
NPT
- 配置：
半桥逆变器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.17V @ 15V，150A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 650V 201A 600W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO-220FP-2 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
EMIPAK-2B |
9350 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220FPAC |
6000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
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询价 | |||
VISHAY |
20+ |
TO220 |
13 |
原装 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
58000 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
TO-220FPAC |
6000 |
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询价 |
