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VS-ENQ030L120S数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
VS-ENQ030L120S |
参数属性 | VS-ENQ030L120S 封装/外壳为EMIPAK-1B;包装为盒;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B |
功能描述 | EMIPAK-1B PressFit Power Module Neutral Point Clamp Topology, 30 A |
封装外壳 | EMIPAK-1B |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 17:17:00 |
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VS-ENQ030L120S规格书详情
特性 Features
·Ultrafast Trench IGBT technology
·HEXFRED® and silicon carbide diode technology
·PressFit pins technology
技术参数
- 产品编号:
VS-ENQ030L120S
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
盒
- IGBT 类型:
沟道
- 配置:
三级反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.52V @ 15V,30A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
EMIPAK-1B
- 供应商器件封装:
EMIPAK-1B
- 描述:
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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Vishay General Semiconductor - |
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