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VS-C06ET07T-M3	文件：156.75 Kbytes Page：5 Pages	650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatur 文件：156.75 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VS-C06ET07T-M3	文件：156.11 Kbytes Page：5 Pages	650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A 文件：156.11 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
VS-C06ET07T-M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A	Vishay 威世	Vishay
VS-C06ET07T-M3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-C06ET07T-M3_V01	文件：156.75 Kbytes Page：5 Pages	650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatur 文件：156.75 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

产品属性

产品编号：
VS-C06ET07T-M3
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
250pF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220AC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC

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更多VS-C06ET07T-M3供应商更新时间2025-10-12 13:00:00

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