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VS-C06ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A FEATURES •MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial •PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling •Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses •Temperatureinvariantswitchingbehavior •175°Cmaximumoperatingjunctiontemperatur | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VS-C06ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VS-C06ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A; | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VS-C06ET07T-M3 | Package:TO-220-2;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |
650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 6 A FEATURES •MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial •PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling •Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses •Temperatureinvariantswitchingbehavior •175°Cmaximumoperatingjunctiontemperatur | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
产品属性
- 产品编号:
VS-C06ET07T-M3
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
6A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
250pF @ 1V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-2
- 供应商器件封装:
TO-220AC
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
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新 |
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