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VS-1N3889	文件：140 Kbytes Page：9 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-1N3889	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-1N3889R	文件：148.53 Kbytes Page：8 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6 A, 12 A FEATURES •Shortreverserecoverytime •Lowstoredcharge •Widecurrentrange •Excellentsurgecapabilities •StandardJEDEC®types •Studcathodeandstudanodeversions •Fullycharacterizedreverserecoveryconditions •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleases	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3889	文件：315.41 Kbytes Page：8 Pages	6A,12AAND16AFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N3889	文件：2.96312 Mbytes Page：10 Pages	FASTRECOVERYDIODES FEATURES ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■StandardJEDECtypes ■Studcathodeandstudanodeversions ■Fullycharacterizedreverserecoveryconditions	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N3889	文件：2.04834 Mbytes Page：11 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion) FEATURES •Shortreverserecoverytime •Lowstoredcharge •Widecurrentrange •Excellentsurgecapabilities •StandardJEDEC®types •Studcathodeandstudanodeversions •Fullycharacterizedreverserecoveryconditions •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3889	文件：2.0733 Mbytes Page：13 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6/12/16A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3889	文件：120.36 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3889	文件：137.2 Kbytes Page：1 Pages	STUDMOUNTEDFASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS FASTRECOVERYPOWERRECTIFIERS50-800VOLTS12AMPERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N3889	文件：140 Kbytes Page：9 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3889	文件：110.53 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIIFER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3889	文件：706.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3889	文件：528.11 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3889	文件：451.83 Kbytes Page：2 Pages	SiliconFastRecoveryDiode [GeneSiCSemiconductor,Inc.] Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
1N3889	文件：428.92 Kbytes Page：2 Pages	HighPower-FastRecoveryRectifiers Features •HighSurgeCapability •Typesupto400VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N3889	文件：725.13 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3889	文件：528.1 Kbytes Page：7 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERSQualifiedperMIL-PRF-19500/304 DESCRIPTION This1N3889–1N3891and1N3893familyofrectifierdevicesaresuitableforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,converters,choppersandultrasonicsystemsaswellasotherapplications.Itcanalsobeusedasafree-wheelingdiode.TheyaremilitaryqualifieduptoaJANTX	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3889	文件：111.49 Kbytes Page：2 Pages	FastRecoveryRectifier FastRecoveryRectifier ●FastRecoveryRectifier ●175°CJunctionTemperature ●VRRM100to400Volts ●12AmpsCurrentRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N3889	文件：147.89 Kbytes Page：8 Pages	FastRecoveryDiodes(StudVersion),6A,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N3889	文件：756.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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产品属性

产品编号：
VS-1N3889
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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