VQ1001J中文资料Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs数据手册Vishay规格书
技术参数
- 型号:
VQ1001J
- 功能描述:
MOSFET QD 30V 0.83A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VQ1001P |
4 |
4 |
询价 | ||||
SIL |
24+ |
DIP |
60000 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
N/A |
6800 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
SIL |
2023+ |
DIP |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
SIL |
23+ |
DIP14 |
11200 |
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SI |
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DIP |
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全新原装,公司大量现货供应,绝对正品 |
询价 | ||
SILICONIX |
25+ |
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SILICONIX |
23+ |
DIP |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
SIL |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SIL |
25+23+ |
DIP |
71300 |
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