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VP3203	文件：458.93 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperatur 文件：458.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203	文件：779.58 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：779.58 Kbytes 页数：14 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
VP3203	文件：608.46 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：608.46 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203	文件：608.46 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：608.46 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -30V, 0.6 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Free from secondary breakdown \nLow power drive requirement \nEase of paralleling \nLow CISS and fast switching speeds \nHigh input impedance and high gain \nExcellent thermal stability \nIntegral source-to-drain diode;	Microchip 微芯科技	Microchip
VP3203N3	文件：458.93 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperatur 文件：458.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203N8	文件：458.93 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperatur 文件：458.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203ND	文件：458.93 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperatur 文件：458.93 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203N3-G	文件：608.46 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：608.46 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
VP3203N3-G	文件：779.58 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：779.58 Kbytes 页数：14 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

技术参数

BVdss min (V)：
-30
Rds (on) max (Ohms)：
0.6
Vgs(th) max (V)：
-3.5
CISSmax (pF)：
300
Packages：
3\\SOT-893\\TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VP3203	SUPERTEXMICROCHIP	23+	SOT-89	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市勤思达科技有限公司	VP3203N8	SUTEX	12+	SOT89	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
深圳市一线半导体有限公司	VP3203N3	SUPERTEX	24+	TO-92	243		询价
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艾睿（深圳）半导体有限公司	VP3203N8-G	MICROCHIP(美国微芯)	2447	SOT-89-3	31500	2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	VP3203N8	SUPEXTEX	24+	SOT-89	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市正纳电子有限公司	VP3203N8-G	Microchip(微芯)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价

更多VP3203供应商更新时间2026-4-17 16:10:00

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