VP2206N2数据手册Microchip中文资料规格书
技术参数
- 型号:
VP2206N2
- 功能描述:
MOSFET 60V 0.9Ohm
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3550 |
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询价 | ||
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
TO92 |
7350 |
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SI |
24+ |
CAN |
80000 |
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SILICONI/矽睿科技 |
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CAN3 |
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Supertex |
06+ |
TO-92 |
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MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
TO-39-3 |
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MICROCHIP/微芯 |
22+ |
TO-39-3 |
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MICROCHIP/微芯 |
23+ |
TO-92-3 |
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MICROCHIP/微芯 |
24+ |
TO-39 |
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询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-92 |
300 |
询价 |