VP2206N2中文资料60V P-channel enhancement-mode vertical DMOS FET数据手册Microchip规格书
技术参数
- 型号：
VP2206N2
- 功能描述：
MOSFET 60V 0.9Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUPERTEX |
24+ |
TO-39 |
9600 |
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SILICONI/矽睿科技 |
专业铁帽 |
CAN3 |
67500 |
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24+ |
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80000 |
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MICROCHIP/微芯 |
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24+ |
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23+ |
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50000 |
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询价 | ||
SILICONI |
专业铁帽 |
CAN3 |
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Superte |
23+ |
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SUPERTEX |
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TO-39 |
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