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VP0109N3-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description The VP0109 low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impe 文件：758.81 Kbytes 页数：14 Pages | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
VP0109N3-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：665.18 Kbytes 页数：5 Pages | SUTEX | SUTEX | |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：665.18 Kbytes 页数：5 Pages | SUTEX | SUTEX | ||
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：665.18 Kbytes 页数：5 Pages | SUTEX | SUTEX |
详细参数
- 型号：
VP0109N3-G
- 功能描述：
MOSFET 90V 8Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
TO-92 |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
Microchip |
1837+ |
N/A |
1615 |
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询价 | ||
MICROCHIP(美国微芯) |
2447 |
TO-92(TO-92-3) |
105000 |
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MICROCHIP |
25+ |
TO-92-3 |
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MICROCHIP/美国微芯 |
21+ |
TO-92(TO-92-3) |
30000 |
全新原装 现货 价优 |
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SUPERTEX |
23+ |
TO-92 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MICROCHIP/美国微芯 |
2021+ |
TO-92(TO-92-3) |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
MICROCHIP/美国微芯 |
24+ |
TO-92(TO-92-3) |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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MICROCHIP/美国微芯 |
24+ |
TO-92(TO-92-3) |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
MICROCHIP/美国微芯 |
2022+ |
TO-92(TO-92-3) |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 |
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