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VP0109N3-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description The VP0109 low-threshold, Enhancement-mode (normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impe 文件：758.81 Kbytes 页数：14 Pages | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | |
VP0109N3-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：665.18 Kbytes 页数：5 Pages | SUTEX | SUTEX | |
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详细参数
- 型号：
VP0109N3-G
- 功能描述：
MOSFET 90V 8Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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