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VP0109N3-G	文件：758.81 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription TheVP0109low-threshold,Enhancement-mode (normally-off)transistorusesaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimpe	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
VP0109N3-G	文件：665.18 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs	SUTEX Supertex, Inc
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VN0109N3	文件：95.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
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VP0109N3	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc
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详细参数

型号：
VP0109N3-G
功能描述：
MOSFET 90V 8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VP0109N3-G供应商更新时间2024-4-25 17:04:00

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