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VP0106N3中文资料-60 V, 8 ohm, P-channel enhancement-mode D-MOS power FET数据手册Topaz规格书

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厂商型号

VP0106N3

功能描述

-60 V, 8 ohm, P-channel enhancement-mode D-MOS power FET

制造商

Topaz topaz

中文名称

黄宝石

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:01:00

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技术参数

  • 型号:

    VP0106N3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 8Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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