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VP0106N3	文件：90.22 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement-Mode P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs 文件：90.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VP0106N3	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：46.74 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3	文件：225.63 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：225.63 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60 V, 8 ohm, P-channel enhancement-mode D-MOS power FET	Topaz	Topaz
VP0106N3-G	文件：759.88 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description The VP0106 low-threshold Enhancement-mode (normally-off) transistors use a vertical DMOS structure and a well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input imped 文件：759.88 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
VP0106N3-G	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：659.86 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3-GP002	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：659.86 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3-GP003	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：659.86 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3-GP005	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：659.86 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
VP0106N3-GP013	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：659.86 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

详细参数

型号：
VP0106N3
功能描述：
MOSFET 60V 8Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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