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AOI452A	文件：297.41 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOI452AisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplicati	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI452A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU452	文件：74.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU452	文件：352.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU452A	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU452L	文件：74.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU452usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU452isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BD452N	文件：233.6 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BD452P	文件：233.6 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
BSP452	文件：69.79 Kbytes Page：8 Pages	MiniPROFET(High-sideswitchShort-circuitprotectionInputprotectionOvertemperatureprotectionwithhysteresis)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSP452	文件：919.53 Kbytes Page：8 Pages	MiniPROFET(N-channelverticalpowerFETwithchargepump) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinput,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOS®technology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. •High-sideswitch •Short-circuitprotection •Inputprotection •Overtemperatu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
VOM452T
功能描述：
高速光耦合器 OPTOCPLR SOP-5 1MB
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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