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VNI2140	文件：1.45608 Mbytes Page：26 Pages	Dual high-side smart power solid state relay Features • Nominal current: 0.75 A per channel • Shorted-load protections • Junction overtemperature protection • Case overtemperature protection for thermal independence of the channels • Thermal case shutdown restart not simultaneous for the various channels • Protection against loss of gr 文件：1.45608 Mbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNI2140J	文件：1.45608 Mbytes Page：26 Pages	Dual high-side smart power solid state relay Features • Nominal current: 0.75 A per channel • Shorted-load protections • Junction overtemperature protection • Case overtemperature protection for thermal independence of the channels • Thermal case shutdown restart not simultaneous for the various channels • Protection against loss of gr 文件：1.45608 Mbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNI2140JTR	文件：1.45608 Mbytes Page：26 Pages	Dual high-side smart power solid state relay Features • Nominal current: 0.75 A per channel • Shorted-load protections • Junction overtemperature protection • Case overtemperature protection for thermal independence of the channels • Thermal case shutdown restart not simultaneous for the various channels • Protection against loss of gr 文件：1.45608 Mbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNI2140J	文件：621.24 Kbytes Page：23 Pages	Dual high side smart power solid state relay 文件：621.24 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNI2140J	文件：300 bytes Page：1 Pages	双通道高侧智能功率固态继电器 The VNI2140J is a monolithic device designed using STMicroelectronics' VIPower technology.\n\n The device drives two independent resistive or inductive loads with one side connected to ground. Active current limitation prevents a drop in system power supply in cases of shorted-load, and built-in the • Nominal current: 0.75 A per channel \n• Shorted-load protections \n• Junction overtemperature protection \n• Case overtemperature protection for thermal independence of the channels \n• Thermal case shutdown restart not simultaneous for the various channels \n• Protection against loss of ground \n;	ST 意法半导体	ST
VNI2140J	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-PowerLSOP（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNI2140JTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSSO-12；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
PowerSSO 12
Marketing Status：
Active
Supply Voltage_min(V)：
9
RDS(on)_max(mΩ)：
80
Output Current-Max_nom(A)：
1
Supply Voltage_max(V)：
36
Transistor Breakdown Voltage_max(V)：
45
Rise Time_nom：
10
Turn-On Delay Time_nom：
20
Turn-Off Delay Time_nom：
30

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更多VNI2140供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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