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VND670SP13TR

Dual high-side switch with dual Power MOSFET gate driver(bridge configuration)

Description The VND670SP is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology M0-3, intended for driving motors in full bridge configuration. The device integrates two 30 mW Power MOSFET in high-side configuration, and provides gate drive for two external Power MOSFET used as l

文件:302.01 Kbytes 页数:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND670SP13TR

Package:PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR SWITCH 1:1 PWRSO10

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7006DAYTR

SSOP

ST

VND7020AJTR

SSOP-16

ST/意法

VND7050AJTR

SSOP16

ST/意法

产品属性

  • 产品编号:

    VND670SP13TR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    2

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    高端

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    5.5V ~ 36V

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    30A

  • 导通电阻(典型值):

    26 毫欧

  • 输入类型:

    非反相

  • 特性:

    PWM 输入

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    10-PowerSO

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10 裸露底部焊盘

  • 描述:

    IC PWR SWITCH 1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VND670SP13TR供应商 更新时间2026-4-22 10:22:00