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VND14NV04-1	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV0413TR	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04-1	文件：388.88 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：388.88 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04-1	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV0413TR	文件：388.88 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：388.88 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV0413TR	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04-1-E	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04-E	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04TR-E	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET • ESD protection\n• Diagnostic feedback through input pin\n• Compatible with standard Power MOSFET\n• Linear current limitation\n• Short circuit protection• Thermal shutdown\n• Low current drawn from input pin\n• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)\n• Integrated clamp;	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
VND14NV04
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
12A
导通电阻（典型值）：
35 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
TO-252（D-Pak）
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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