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VNB28N04	文件：138.57 Kbytes Page：13 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the 文件：138.57 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB28N04	文件：226.76 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：226.76 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB28N04	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET POWER 42V 28A D2PAK	ST 意法半导体	ST
VNB28N04	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB28N04-E	文件：226.76 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：226.76 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB28N04-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK	ST 意法半导体	ST
VNB28N04TR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK	ST 意法半导体	ST
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产品属性

产品编号：
VNB28N04
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
31V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
19A
导通电阻（典型值）：
35 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D2PAK
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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