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VNB14N04TR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK	ST 意法半导体	ST
VNB14N04TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNK14N04FM	文件：157.32 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14N04, VNK14N04FM and VNV14N04 are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip 文件：157.32 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNK14N04FM	文件：522.24 Kbytes Page：17 Pages	OMNIFET fully autoprotected Power MOSFET Description The VNB14N04, VNK14N04FM and VNV14N04 are monolithic devices made using STMicroeletronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip 文件：522.24 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP14N04	文件：132.39 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP14N04 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envi 文件：132.39 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNB14N04TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
35V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
10A
导通电阻（典型值）：
70 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D2PAK
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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