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VN66	文件：83.43 Kbytes Page：2 Pages	VN66 SERIES 文件：83.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VN66AD	文件：83.43 Kbytes Page：2 Pages	VN66 SERIES 文件：83.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VN66AFD	文件：53.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs 文件：53.62 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VN66AFD	文件：83.43 Kbytes Page：2 Pages	VN66 SERIES 文件：83.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VN66AK	文件：120.93 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement-mode Vertical Power MOSFET 文件：120.93 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VN66AK	文件：111.54 Kbytes Page：2 Pages	HELD EFFECT POWER TRANSISTOR 文件：111.54 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VN66	文件：300 bytes Page：1 Pages	VN66 SERIES	NJS 新泽西半导体	NJS
VN66AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 0.39A 3-Pin(3+Tab) TO-220SD	NJS 新泽西半导体	NJS
VN66AK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 0.39A 3-Pin(3+Tab) TO-220SD	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
VN66AJ
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK205,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0
wtest：
25

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
1000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±30V
Maximum Drain Source Voltage：
60V
Maximum Continuous Drain Current：
0.39A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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