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VMO650-01F中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

VMO650-01F

功能描述

HiPerFET-TM MOSFET Module

文件大小

54.06 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 15:23:00

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VMO650-01F规格书详情

HiPerFET™ MOSFET Module

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

● International standard package

● Direct Copper Bonded Al2O3 ceramic base plate

● Isolation voltage 3600 V~

● Low RDS(on) HDMOSTM process

● Low package inductance for high speed switching

● Kelvin Source contact for easy drive

Applications

● AC motor speed control for electric vehicles

● DC servo and robot drives

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● DC choppers

Advantages

● Easy to mount

● Space and weight savings

● High power density

● Low losses

产品属性

  • 型号:

    VMO650-01F

  • 功能描述:

    MOSFET 650 Amps 100V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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