首页>VMO580-02F>规格书详情
VMO580-02F中文资料IXYS数据手册PDF规格书
VMO580-02F规格书详情
HipPerFET™ Module
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
• HiPerFETTM technology
- low RDSon
- dv/dt ruggedness
- fast intrinsic reverse diode
• package
- low inductive current path
- screw connection to high current main terminals
- use of non interchangeable connectors for auxiliary terminals possible
- Kelvin source terminals for easy drive
- isolated ceramic base plate
Applications
• converters with high power density for
- main and auxiliary AC drives of electric vehicles
- DC drives
- power supplies
产品属性
- 型号：
VMO580-02F
- 功能描述：
MOSFET HiperFET 200V 580A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
25+23+ |
QFN48 |
32979 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NS |
24+ |
QFN48 |
1173 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
Y3-Li |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS |
10+ |
主营模块 |
85 |
原装正品,公司正品供应 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
询价 |
