2 to 4 GHz GaAs High Linearity LNA in Wafer Level Package

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安华高

2 to 4 GHz GaAs High Linearity LNA in Wafer Level Package

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博通

晶片级封装的 2 - 4GHz E-pHEMT 放大器

Broadcom 将它行业领先的 E-pHEMT 技术结合到了革命性的芯片级封装中。\n\n\n此产品易于使用，因为它只要求正直流偏置电源，而且不要求匹配系数来实现对 50 Ω 系统的阻抗匹配。 ·超小型 0402（1 毫米 x 0.5 毫米）表面贴装无铅封装\n·高度低（0.25 毫米）\n·频率范围 2 - 4GHz\n·增强模式;

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2 to 4 GHz GaAs High Linearity LNA in Wafer Level Package

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2 to 4 GHz GaAs High Linearity LNA in Wafer Level Package

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安华高

Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 2GHZ-4GHZ 0402

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Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 2GHZ-4GHZ 0402

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Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP WIMAX 2GHZ-4GHZ 0402

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