0.9-11 GHz E-pHEMT Wideband Amplifier in Wafer Level Package

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AVAGO

安华高

E-pHEMT Amplifier in a Wafer Scale Package (1 - 10GHz)

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AVG

0.9-11 GHz E-pHEMT Wideband Amplifier in Wafer Level Package

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BOARDCOM

博通

1.0 到 10GHz E-PHEMT 放大器采用晶圆级封装

安华高科技 (Broadcom) 已经成功结合业界领先的 E-pHEMT 技术以及革命性的芯片级封装。这款器件在使用上相当容易，只需提供偏压用的正直流电压，并且不需匹配系数就能达成 50 Ω 系统的阻抗匹配。 ·次微型 0402 (1mm x 0.5mm) 表面贴装无铅封装\n·高度仅 0.25mm\n·频率范围 1 到 10 GHz\n·增强模式\n;

Broadcom

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Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 900MHZ-11GHZ

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博通

Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 900MHZ-11GHZ 0402

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Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC AMP WIMAX 900MHZ-11GHZ 0402

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