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VMK165-007T	文件：84.72 Kbytes Page：2 Pages	Dual Power MOSFET Module Common-SourceconnectedN-ChannelEnhancementMode Features •TwoMOSFETwithcommonsource •InternationalstandardpackageJEDECTO-240AA •DirectcopperbondedAl2O3ceramicbaseplate •Isolationvoltage3000V~ •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Lowpackageinductanceforhighspeedswit	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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VMK165-007T

文件：84.72 Kbytes

Page：2 Pages

Dual Power MOSFET Module

Common-SourceconnectedN-ChannelEnhancementMode Features •TwoMOSFETwithcommonsource •InternationalstandardpackageJEDECTO-240AA •DirectcopperbondedAl2O3ceramicbaseplate •Isolationvoltage3000V~ •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Lowpackageinductanceforhighspeedswit

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

详细参数

型号：
VMK165-007T
功能描述：
MOSFET 165 Amps 70V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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